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真空晶體生長爐
真空晶體生長爐
產(chǎn)品描述:
真空晶體生長爐主要用于碳化硅、硒化鋅等晶體的生長
應(yīng)用范圍:
大尺寸單晶碳化硅生長(PVT法)、硒化鋅晶體氣相生長

真空晶體生長爐技術(shù)特征

采用先進(jìn)的控制技術(shù),能精密控制爐內(nèi)壓力,爐膛內(nèi)壓力波動??;

采用動密封技術(shù),能精密控制坩堝移動與旋轉(zhuǎn);

采用特殊結(jié)構(gòu)設(shè)計,能有效控制籽晶位置;

采用特殊的爐膽結(jié)構(gòu)和加熱器布置,經(jīng)溫場模擬計算,能有效控制爐內(nèi)溫場分布;

具備柔性抽真空、爐內(nèi)分壓控制等功能;

采用先進(jìn)的隔熱結(jié)構(gòu)和材料,爐膽隔熱性能好、蓄熱少,

采用特殊的高溫紅外測量技術(shù),控溫準(zhǔn)確,誤差小。

真空晶體生長爐產(chǎn)品規(guī)格

型號/參數(shù)VCG-4VCG-6VCG-8
產(chǎn)品尺寸
4英寸6英寸8英寸
最高溫度(℃)2400-26002400-26002400-2600
溫度均勻性(℃)±5±5±5
極限真空度(Pa)10-5-10-310-5-10-310-5-10-3
壓升率(pa/h)0.670.670.67
以上參數(shù)可根據(jù)工藝要求進(jìn)行調(diào)整,不作為驗收依據(jù),具體以技術(shù)方案和協(xié)議為準(zhǔn)。

真空晶體生長爐配置選擇

結(jié)構(gòu)形式:上出料/下出料

爐門鎖緊方式:手動/自動

爐殼材質(zhì):內(nèi)層不銹鋼/全碳鋼/全不銹鋼

保溫材質(zhì):高純碳?xì)?石墨氈/固化氈

加熱器:等靜壓石墨/金屬

熱電偶:C/K/N/S分度號

紅外儀:單比色/雙比色

適于工藝氣氛:N2/Ar/H2

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