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400-677-0098
碳化硅化學氣相涂層爐
碳化硅化學氣相涂層爐
產品描述:
用于半導體領域的石墨或陶瓷表面的碳化硅化學氣相涂層。
應用范圍:
熱彎模具、導流筒、半導體坩堝、外延載盤、晶舟、爐管等。產品純度≥99.999%/99.9999%。

碳化硅化學氣相涂層爐技術特征

采用先進的進氣控制技術,能精密控制MTS/SiCl4等的流量和壓力,爐膛內沉積壓力穩(wěn)定,壓力波動小;

多通道工藝氣路,配合旋轉料臺,無沉積死角;

溫度場與氣流場耦合采用仿真輔助設計,溫度場與氣流場的均勻性好;

多級尾氣處理系統(tǒng),能高效處理腐蝕性尾氣、固體副產物,環(huán)境友好;

爐殼采用耐腐蝕不銹鋼材質,熱場材料采用低灰分材質,嚴格把控進氣管路材質(選用EP級材質);

適于工藝氣氛:真空/H2/N2/Ar/MTS等。


碳化硅化學氣相涂層爐產品規(guī)格

參數(shù)\型號HCVD-101015-SiCHCVD-121220-SiCVCVD-0608-SiCVCVD-0812-SiCVCVD-1015-SiCVCVD-1218-SiCVCVD-1520-SiCVCVD-1530-SiC
工作區(qū)尺寸 W×H×L(mm)1000×1000×15001200×1200×2000600×800800×12001000×15001200×18001500×20001500×3000
最高溫度(℃)1500
溫度均勻性(℃)±10/±15±15/±20±5/±7.5±7.5/±10±10/±15±10/±15±15/±20±15/±20
極限真空度(Pa)1-100
壓升率(Pa/h)0.67
加熱方式電阻

以上參數(shù)可根據(jù)工藝要求進行調整,不作為驗收依據(jù),具體以技術方案和協(xié)議為準。

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