采用先進的進氣控制技術,能精密控制MTS/SiCl4等的流量和壓力,爐膛內沉積壓力穩(wěn)定,壓力波動小;
多通道工藝氣路,配合旋轉料臺,無沉積死角;
溫度場與氣流場耦合采用仿真輔助設計,溫度場與氣流場的均勻性好;
多級尾氣處理系統(tǒng),能高效處理腐蝕性尾氣、固體副產物,環(huán)境友好;
爐殼采用耐腐蝕不銹鋼材質,熱場材料采用低灰分材質,嚴格把控進氣管路材質(選用EP級材質);
適于工藝氣氛:真空/H2/N2/Ar/MTS等。
參數(shù)\型號 | HCVD-101015-SiC | HCVD-121220-SiC | VCVD-0608-SiC | VCVD-0812-SiC | VCVD-1015-SiC | VCVD-1218-SiC | VCVD-1520-SiC | VCVD-1530-SiC |
工作區(qū)尺寸 W×H×L(mm) | 1000×1000×1500 | 1200×1200×2000 | 600×800 | 800×1200 | 1000×1500 | 1200×1800 | 1500×2000 | 1500×3000 |
最高溫度(℃) | 1500 | |||||||
溫度均勻性(℃) | ±10/±15 | ±15/±20 | ±5/±7.5 | ±7.5/±10 | ±10/±15 | ±10/±15 | ±15/±20 | ±15/±20 |
極限真空度(Pa) | 1-100 | |||||||
壓升率(Pa/h) | 0.67 | |||||||
加熱方式 | 電阻 |
以上參數(shù)可根據(jù)工藝要求進行調整,不作為驗收依據(jù),具體以技術方案和協(xié)議為準。